Транзисторы биполярные (BJTs) MJD200G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8035898702
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Подробности
- Вес, г
- 0.05
- Серия
- MJD200
- Упаковка
- Reel
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 18 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 1,4 Вт при 45 В 2 А,1 В 5 А 65 МГц 1.8V@5A,1 От -65°C до+150°C (Tj) ДО-252-2(DPAK) Биполярные транзисторы - BJT
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | MJD200 |
| Упаковка | Reel |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3(DPAK) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы-BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 1800 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 12.5 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |