Транзисторы биполярные (BJTs) MJD122T4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8224937844
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Тип
- Составной транзистор(Дарлингтона)
- Series:
- MJD122
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Минимальный заказ: 13 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Тип | Составной транзистор(Дарлингтона) |
| Series: | MJD122 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.4 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | DPAK/TO-252 | DPAK/TO-252AA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252 |
| Transistor Type | NPN |
| Описание | Транзистор биполярный NPN; 100 В; 8 А; hFE 1000…; TO-252(DPAK) |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
| Тип проводимости | NPN |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.01mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 10 uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 16 A |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4.5 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 1000 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000…12000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |