Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) MJ21195G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8472000662
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
26.67 mm(Max)
Height
8.51 mm(Max)
Цена по запросу
(от 755,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width26.67 mm(Max)
Height8.51 mm(Max)
Length39.37 mm
SeriesMJ21195
PackagingTray
Pin Count3
Вес, г18
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-204AA
КорпусTO-3(КТ-9)| TO-3
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-204-2
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity100
Pd - Power Dissipation250 W
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT4 MHz
Maximum Power Dissipation250 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO400 V
Continuous Collector Current16 A
Maximum DC Collector Current16 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min25
Maximum Collector Base Voltage400 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage-250 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.4 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В250
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В400

Техническая документация