Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) KSP10BU

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072498046
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.82
Длина
4.7 mm
Серия
KSP10
Цена по запросу
(от 6,86 ₽)
Минимальный заказ: 4700 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.82
Длина4.7 mm
СерияKSP10
Package TypeTO-92
Высота4.7 mm
Ширина3.93 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаBulk
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3
Maximum DC Collector Current50 mA
Maximum Emitter Base Voltage3 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Emitter Voltage25 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Другие названия товара №KSP10BU_NL
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)3 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)650 MHz

Техническая документация