Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) KSD526Y

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073601826
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1.9
Длина
10.1 mm (Max)
Серия
KSD526
Высота
9.4 mm (Max)
Цена по запросу
(от 118,24 ₽)
Минимальный заказ: 400 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Технические параметры

Вес, г1.9
Длина10.1 mm (Max)
СерияKSD526
Высота9.4 mm (Max)
Ширина4.7 mm (Max)
УпаковкаBulk
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности30 W
Размер фабричной упаковки1200
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.45 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)8 MHz

Техническая документация