Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) KSD2012GTU

Транзисторы биполярные (BJTs) KSD2012GTU

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8053963832
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1.7
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 105 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1.7
Package TypeTO-220F
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Minimum DC Current Gain150
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation25 W
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Collector Emitter Voltage60 V

Техническая документация