Транзисторы биполярные (BJTs) DXTP5820CFDB-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8054514571
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.05
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 306 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | U-DFN2020-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 0.69 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 235 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 155 at - 6 A, - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at - 6 A, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |