Транзисторы биполярные (BJTs) DXTN03060BFG-7
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069801427
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 61,27 ₽)
Минимальный заказ: 64 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 6 A |
| Maximum DC Collector Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 176 mV |