Транзисторы биполярные (BJTs) DSS5140V-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069665609
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- DSS51
- Высота
- 0.6 mm
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 1006 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | DSS51 |
| Высота | 0.6 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 310 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 1 A, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |