Транзисторы биполярные (BJTs) BUX85G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075243168
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 4(MHz)
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 33,14 ₽)
Минимальный заказ: 13 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 2 А, 50 Вт
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 4(MHz) |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 3.5 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | BUX85 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 30 |
| Frequency (Max) | 4 MHz |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 50(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Технология | Si |
| DC Current Gain (Min) | 30 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 2(A) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 450(V) |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 2 A |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |