Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BU508AF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070520712
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
RoHS
Details
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
RoHSDetails
SVHCYes
TypeNPN
BrandSTMicroelectronics
Width15.7 mm
Brand:STMicroelectronics
Height14.7 mm
Length26.7 mm
Series1000V Transistors
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Packaging:Tube
Вес, г0.82
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:Transistors
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Package Width5.7(Max)
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseISOWATT-218FX-3
Package Length15.7(Max)
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:ISOWATT-218FX-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Supplier PackageISOWATT218FX
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityNPN
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity300
Standard Package NameTO
Factory Pack Quantity:300
Pd - Power Dissipation50000 mW
SVHC Exceeds ThresholdYes
Minimum DC Current Gain10@0.1A@5V|5@4.5A@5V
Pd - Power Dissipation:50 W
Emitter- Base Voltage VEBO9 V
Supplier Temperature GradeIndustrial
Emitter- Base Voltage VEBO:9 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO9 V
Continuous Collector Current8 A
Maximum DC Collector Current8 A
Continuous Collector Current:8 A
Maximum DC Collector Current:8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)50000
Maximum DC Collector Current (A)8
Maximum Emitter Base Voltage (V)9
Collector- Emitter Voltage VCEO Max700 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)700
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.1@2A@4.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1@1.6A@4.5A

Техническая документация