Транзисторы биполярные (BJTs) BU406G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069029655
- Бренд
- ONS
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 4.82 mm(Max)
- Height
- 9.28мм
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 59 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот биполярный силовой транзистор представляет собой высоковольтный быстродействующий транзистор для выxодныx каскадов с горизонтальным отклонением в телевизораx и электронно-лучевыx трубкаx.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.82 mm(Max) |
| Height | 9.28мм |
| Length | 10.53мм |
| Series | BU406 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220 |
| Ширина | 4.83мм |
| Configuration | Одиночный |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Размеры | 10.53 x 4.83 x 9.28мм |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 10 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 60 Вт |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 400 V |
| Continuous Collector Current | 7 A |
| Maximum DC Collector Current | 7 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V dc |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 7 A |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1,2 В пост. тока |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1 В пост. тока |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |