Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BFU520AR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003770691
Бренд
NXP Semiconductor
Gain
18dB
Type:
Wideband RF Transistor
Brand:
NXP Semiconductors
Family
Transistors-Bipolar(BJT)-RF
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 30мА, 450мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Gain18dB
Type:Wideband RF Transistor
Brand:NXP Semiconductors
FamilyTransistors-Bipolar(BJT)-RF
SeriesAutomotive, AEC-Q101
PackagingDigi-Reel®
Вес, г0.05
Part StatusActive
Power - Max450mW
Technology:Si
ManufacturerNXP Semiconductors
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Manufacturer:NXP
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Part # Aliases:934067697215
Transistor TypeNPN
Standard Package1
Transistor Type:Bipolar Wideband
Product Category:RF Bipolar Transistors
Operating Frequency:900 MHz
Transistor Polarity:NPN
Frequency - Transition10GHz
Pd - Power Dissipation:450 mW
Supplier Device PackageSOT-23(TO-236AB)
DC Current Gain hFE Max:200
Noise Figure (dB Typ @ f)0.7dB @ 900MHz
Gain Bandwidth Product fT:10 GHz
Emitter- Base Voltage VEBO:2 V
Operating Temperature Range:-40 C to+150 C
Collector- Base Voltage VCBO:24 V
Continuous Collector Current:5 mA
Maximum DC Collector Current:50 mA
Current - Collector (Ic) (Max)30mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:16 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация