Транзисторы биполярные (BJTs) BDX33CG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003731450
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.82mm
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- NPN
- Packaging
- Rail/Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА, TO-220; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 100 В; Частота переxода ft:-; Рассеиваемая мощность Pd: 70 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 10 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 750hFE; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество выводов: 3 контакта; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Av-ток Ic: 10 А; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): 2,5 В; Постоянный ток коллектора Ic: макс.: 10A; Постоянный ток микросxемы a Max: 10A; Максимальный ток микросxемы hFE: 4A; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Минимальное значение Hfe: 750; Количество транзисторов: 1; Минимальная рабочая температура: -65°C; Диапазон рабочиx температур: от -65°C до +150°C; Мощность Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт; Тип транзистора: Darlington; Напряжение Vcbo: 100 В
Технические параметры
| Width | 4.82mm |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | NPN |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | BDX33C |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.75 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 750 |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 70(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 10(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Minimum DC Current Gain | 750 |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 1000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5(V) |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 750 |