Транзисторы биполярные (BJTs) BD682
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8992271154
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 2.7 mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 70,40 ₽)
Минимальный заказ: 8 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 40 Вт
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 2.7 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 10.8 mm |
| Length | 7.8 mm |
| Series | Darlingtons |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.9 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SOT-32 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to-126 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | SOT-32 |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-32 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Minimum DC Current Gain | 750 |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 4 A |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 750 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 750 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Collector Cut-off Current | 200 uA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 200 uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |