Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BD682

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070527846
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
2.7 mm
Brand:
STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 70,40 ₽)
Минимальный заказ: 744 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BD682 от STMicroelectronics - надежный компонент для электронных схем, обеспечивающий управление мощными нагрузками. Монтаж данного элемента осуществляется с использованием традиционной сквозной технологии (THT), что облегчает его интеграцию в печатные платы и обеспечивает прочное соединение. Транзистор способен управлять током коллектора до 4 А и может выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 100 В, что делает его подходящим для широкого ряда применений. Мощность устройства составляет 40 Вт, что гарантирует его стабильную работу в различных ситуациях. Этот компонент выполнен в корпусе SOT32 и относится к типу PNP Дарлингтон, что обеспечивает высокий коэффициент усиления тока. Идеален для использования в усилителях, регуляторах и переключающих устройствах. Продукт BD682 — ваш выбор для качественной и долговечной работы. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 4 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 40 Корпус SOT32

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width2.7 mm
Brand:STMicroelectronics
Height10.8 mm
Length7.8 mm
SeriesDarlingtons
PackagingTube
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г0.82
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeSOT-32
Subcategory:Transistors
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:SOT-32
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-32
Mounting Style:Through Hole
Transistor TypePNP
Product CategoryDarlington Transistors
Product Category:Darlington Transistors
Transistor PolarityPNP
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity50
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation40 W
Minimum DC Current Gain750
Pd - Power Dissipation:40 W
Transistor ConfigurationSingle
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Continuous Collector Current4 A
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Continuous Collector Current:4 A
Maximum DC Collector Current:4 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 °C
DC Collector/Base Gain hfe Min750
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:750
кол-во в упаковке50
Maximum Collector Cut-off Current200 uA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Maximum Collector Cut-off Current:200 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Maximum Continuous Collector Current4 A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V

Техническая документация