Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BD442G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000549021
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
7.74 mm
Серия
BD442
Высота
11.04 mm
Цена по запросу
(от 112,98 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт

Технические параметры

Вес, г1
Длина7.74 mm
СерияBD442
Высота11.04 mm
Корпусto-126
Ширина2.66 mm
УпаковкаBulk
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-225-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности36 W
Размер фабричной упаковки500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.8 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz

Техническая документация