Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BD438S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068089029
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
BD438
Packaging:
Bulk
Вес, г
0.79
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 600 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:BD438
Packaging:Bulk
Вес, г0.79
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-126-3
Transistor TypePNP
Power Dissipation36Вт
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Collector Current (Ic)4A
Power Dissipation (Pd)36W
DC Current Gain hFE Min30hFE
Pd - Power Dissipation:36 W
Transition Frequency (fT)3MHz
Gain Bandwidth Product fT:3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Continuous Collector Current4А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)30@10mA, 5V
Collector Emitter Voltage Max45В
Collector- Base Voltage VCBO:45 V
Continuous Collector Current:-4 A
Maximum DC Collector Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:30
Collector Cut-Off Current (Icbo)100uA
DC Усиление Тока hFE30hFE
Частота Перехода ft3МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Полярность ТранзистораPNP
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-126
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@2A, 200mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация