Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BD242B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029452784
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
4.6 mm(Max)
Height
9.15 mm(Max)
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width4.6 mm(Max)
Height9.15 mm(Max)
Length10.4 mm(Max)
SeriesBD242
PackagingTube
Вес, г2
Длина10.4 mm
СерияBD242
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота9.15 mm
КорпусTO-220AB
Ширина4.6 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220AB-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
УпаковкаTube
Power Dissipation40Вт
Transistor PolarityPNP
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity1000
Вид монтажаThrough Hole
Pd - Power Dissipation40 W
DC Current Gain hFE Min10hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Emitter- Base Voltage VEBO-5 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220AB-3
Continuous Collector Current3А
Maximum DC Collector Current-3 A
Collector Emitter Voltage Max80В
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Усиление Тока hFE10hFE
Collector- Emitter Voltage VCEO Max-80 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности40 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация