Транзисторы биполярные (BJTs) BD140
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070563801
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 2.7 mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 1331 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 12Вт, SOT32 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 2.7 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 10.8 mm |
| Length | 7.8 mm |
| Series | 500V Transistors |
| Series: | BD140 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.82 |
| Длина | 7.8мм |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.002116 oz |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SOT-32 |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 10.8мм |
| Ширина | 2.7мм |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | SOT-32-3 |
| Размеры | 10.8 x 7.8 x 2.7мм |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | SOT-32-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Тип корпуса | SOT-32 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
| DC Current Gain hFE Max | 250 |
| Minimum DC Current Gain | 100, 40 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
| Continuous Collector Current | -1.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -1.5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Тип транзистора | PNP |
| Число контактов | 3 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V, +0.5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 25 |