Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BD139

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070446376
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
BD139
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 27,50 ₽)
Минимальный заказ: 1612 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1,5А, 12Вт, TO126 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:BD139
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г0.82
Technology:Si
Package TypeSOT-32
Subcategory:Transistors
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
RoHS CompliantYes
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:SOT-32-3
Transistor TypeNPN
ОписаниеBipolar Transistors-BJT NPN Audio Amplifier
УпаковкаREEL, 2000 шт.
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation1.25W
Minimum DC Current Gain100, 40, 63
Pd - Power Dissipation:1.25 W
DC Current Gain hFE Max:250
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.25 W
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаСквозной
Maximum DC Collector Current1.5A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Continuous Collector Current:1.5 A
Maximum DC Collector Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:40
Тип проводимостиNPN
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage80V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Диапазон рабочих температур+150 °С(max)
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*40*35/4000

Техническая документация