Транзисторы биполярные (BJTs) BD139-10
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8993910329
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 23,69 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.5 А, 8 Вт
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand: | STMicroelectronics |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | BD139 |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.9 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to-126 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | SOT-32-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Part Number | BD139 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Package | SOT-32 |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Minimum DC Current Gain | 63@150mA@2V |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Supplier Device Package | SOT-32 |
| Квалификация | - |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 1.5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 63 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Частота Перехода ft | - |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@0.05A@0.5A |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-32 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 8 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 63…160 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |