Транзисторы биполярные (BJTs) BCX53,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8533335489
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.2
- Длина
- 4.6 mm
- Высота
- 1.6 mm
- Корпус
- SOT-89-3
Цена по запросу
(от 35,72 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1.35 Вт
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 4.6 mm |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W |
| Power Dissipation (Pd) | 1.3W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 145MHz |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 63@150mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Другие названия товара № | 933272300115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |