Транзисторы биполярные (BJTs) BCX52TF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069820439
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 1
- Transistor Type
- PNP
- Power Dissipation
- 500мВт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 1760 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| DC Current Gain hFE Min | 63hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 63@150mA, 2V |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 63hFE |
| Линейка Продукции | BCX52T |
| Частота Перехода ft | 140МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Другие названия товара № | 934661328135 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-62 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at - 150 mA, - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at - 5 mA, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |