Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BCX19LT1G

Транзисторы биполярные (BJTs) BCX19LT1G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8948831311
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Military
No
Цена по запросу
(от 6,80 ₽)
Минимальный заказ: 60 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23(TO-236)| SOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.3
Package Height0.94
Package Length2.9
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain100@100mA@1V|70@300mA@1V|40@500mA@1V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V dc
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.62@50mA@500mA

Техническая документация