Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003332902
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
1.3 mm
Height
0.94 mm
Цена по запросу
(от 7,35 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, NPN, 45 В, 800 МА, TO-236AB-3; Полярность транзистора:NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:45 В; Частота переxода ft:100 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:225 МВт; Ток коллектора постоянного тока:800 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:160hFE; Тип корпуса транзистора: SOT-23; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Минимальная рабочая температура:-55°C

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width1.3 mm
Height0.94 mm
Length2.9 mm
SeriesBCW66GLT3G
CategoryBipolar Small Signal
MountingSurface Mount
Frequency100(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г4
Unit Weight0.050717 oz
ManufacturerON Semiconductor
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-23
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
DC Current Gain50
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Power Dissipation0.3(W)
Number of Elements1
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Factory Pack Quantity10000
Collector Current (DC)0.8(A)
Collector-Base Voltage75(V)
Pd - Power Dissipation300 mW
Collector-Emitter Voltage45(V)
Gain Bandwidth Product fT100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Maximum DC Collector Current800 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage700 mV
Operating Temperature ClassificationMilitary

Техническая документация