Транзисторы биполярные (BJTs) BCV62B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003961000
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 3 mm
- Высота
- 1 mm
- Ширина
- 1.4 mm
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теперь Nexperia BCV62B - малосигнальный биполярный транзистор, 0,1 А I(C), 30 В CEO, 1-элементный, PNP, кремниевый, SOT4
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Transistor Type | 2 PNPпј€Doubleпј‰Current Mirror |
| Transistor Polarity | Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | /T3 BCV62B |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 100 uA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |