Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BCP69.115

Транзисторы биполярные (BJTs) BCP69.115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068407405
Бренд
Nexperia B.V.
Version
PNP
Assembly
SMD
Enclosure
SOT-223
Вес, г
0.82
Цена по запросу
(от 23,10 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V 1A

Технические параметры

VersionPNP
AssemblySMD
EnclosureSOT-223
Вес, г0.82
Длина6.7 mm
Min DC gain50 mA
Высота1.7 mm
Ширина3.7 mm
Collector current-2 A
Power dissipation0.65 W
Saturation voltage-500 mV
Max DC amplification375 mA
Вид монтажаSMD/SMT
Transit frequency fTmin140 MHz
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
max.voltage between collector and base Vcbo-32 V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1400 mW
max.voltage between collector and emitter Vceo-20 V
Другие названия товара №BCP69 T/R
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)32 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.50 at 5 mA at 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 5 mA at 10 V, 85 at 500 mA at 1 V, 60 at 1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация