Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BCP56TF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067077510
Бренд
Nexperia B.V.
Case
SC73, SOT223
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 1063 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Discretes AEC-Q101

Технические параметры

CaseSC73, SOT223
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
MountingSMD
Frequency155MHz
Вес, г1.93
Power - Max1.8W
RoHS StatusROHS3 Compliant
Current gain63…250
ManufacturerNEXPERIA
Polarisationbipolar
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Kind of packagereel, tape
Transistor TypeNPN
Collector current1A
Type of transistorNPN
Base Product NumberBCP56 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageSOT-223
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage80V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.8 W
Другие названия товара №934070117135
Размер фабричной упаковки4000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)155 MHz

Техническая документация