Транзисторы биполярные (BJTs) BCP55-16
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075236953
- Бренд
- NXP Semiconductor
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Width
- 3.7 mm
- Height
- 1.7 mm
Цена по запросу
(от 19,95 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, NPN, SOT-223; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 60 В; Частота переxода ft: 180 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 640 МВт; Ток коллектора постоянного тока:1 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:100hFE; Корпус транзистора
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Width | 3.7 mm |
| Height | 1.7 mm |
| Length | 6.7 mm |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.21 |
| Unit Weight | 0.006632 oz |
| Manufacturer | Nexperia |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223 |
| Part # Aliases | BCP55-16 T/R |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 960 mW |
| Gain Bandwidth Product fT | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |