Транзисторы биполярные (BJTs) BCM856BSH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072366924
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 1.93
- Subcategory
- Transistors
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 1300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 1.93 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Dual |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSSOP-6 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 175 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TSSOP-6 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 65 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | 934062056125 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |