Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BC859C.215

Транзисторы биполярные (BJTs) BC859C.215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068942124
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Brand
Nexperia
Width
1.4 mm
Height
1 mm
Цена по запросу
(от 3 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNexperia
Width1.4 mm
Height1 mm
Length3 mm
PackagingReel
Вес, г1
Длина3 mm
ManufacturerNexperia
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Part # Aliases/T3 BC859C
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityPNP
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity10000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation250 mW
DC Current Gain hFE Max420 at 2 mA at 5 V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Collector- Base Voltage VCBO30 V
Maximum DC Collector Current0.1 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min420 at 2 mA at 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №933628690215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.420 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация