Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BC857A.215

Транзисторы биполярные (BJTs) BC857A.215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069501455
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 9000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
VersionPNP
AssemblySMD
EnclosureSOT-23
Pin Count3
Вес, г1
Длина3 mm
Min DC gain125 mA
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Collector current-100 mA
Power dissipation0.25 W
Saturation voltage-650 mV
Base Product NumberBC857 ->
Max DC amplification250 mA
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Minimum DC Current Gain125
Supplier Device PackageTO-236AB
Transit frequency fTmin100 MHz
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
max.voltage between collector and base Vcbo-50 V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
max.voltage between collector and emitter Vceo-45 V
Другие названия товара №BC857A T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.125 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация