Транзисторы биполярные (BJTs) BC856BS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022378497
- Бренд
- NXP Semiconductor
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Packaging
- Reel
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 12,31 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, PNP/PNP-PNP, 65 В, 100 МА, SOT363; Полярность транзистора: Двойной PNP; Напряжение коллектор-эмиттер, V(br) ceo: -65 В; Рассеиваемая мощность, Pd:200 МВт; Ток коллектора постоянного тока: -100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току, hFE:200hFE; Тип корпуса транзистора:S
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.04 |
| Manufacturer | Nexperia |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Continuous Collector Current | -100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -65 V |