Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BC856BLT1G

Транзисторы биполярные (BJTs) BC856BLT1G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8800421401
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Длина
2.9мм
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 2,38 ₽)
Минимальный заказ: 117 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Длина2.9мм
Package TypeSOT-23
Высота0.94мм
КорпусSOT-23(TO-236)| SOT-23
Ширина1.3мм
Mounting TypeSurface Mount
Размеры0.94 x 2.9 x 1.3мм
Transistor TypePNP
Структураpnp
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Minimum DC Current Gain220
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Power Dissipation300 mW
ПроизводительON Semiconductor
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Тип транзистораPNP
Число контактов3
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Collector Emitter Voltage-65 V
Количество элементов на ИС1
Максимальная рабочая частота100 МГц
Максимальное рассеяние мощности300 мВт
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный пост. ток коллектора100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база5 В
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Максимальное напряжение коллектор-база80 V
Статический коэффициент передачи тока h21э мин220…475
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)65 V
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер0,9 В
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,65 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току220
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В65
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80

Техническая документация