Транзисторы биполярные (BJTs) BC856B.215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051500035
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Version
- PNP
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- SOT-23
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 760 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 100MA 65V
Технические параметры
| Version | PNP |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Min DC gain | 220 mA |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | -100 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Saturation voltage | -650 mV |
| Структура | PNP |
| Max DC amplification | 475 mA |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Hfe при напряжении к-э, В | 5 |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -80 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Hfe при токе коллектора, А | 0.002 |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -65 V |
| Другие названия товара № | BC856B T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65...150 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 125 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |