Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BC847RAZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069827523
Бренд
Nexperia B.V.
Series
-
Packaging
Cut Tape(CT)
Вес, г
1.7
Part Status
Active
Цена по запросу
(от 8,01 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BC847RA/SOT1268 DFN1412-6

Технические параметры

Series-
PackagingCut Tape(CT)
Вес, г1.7
Part StatusActive
Power - Max480mW
ManufacturerNexperia USA Inc.
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Transistor TypeNPN, PNP
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageDFN1412-6
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN1412-6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности480 mW
Другие названия товара №934070163147
Размер фабричной упаковки5000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация