Транзисторы биполярные (BJTs) BC847BW
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003951439
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.35 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, NPN, 45 В, 100 мА, 200 МВт, SOT-323, Полярность транзистора:NPN, Напряжение коллектор-эмиттер, V(br) ceo:45 В, Частота переxода ft:300 МГц, Рассеиваемая мощность Pd:200 МВт, Ток коллектора постоянного тока:100 мА, Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 290hFE, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.35 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.2 mm |
| Series | BC847B |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.0333 |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 at 2 mA, 5 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 600 mV |