Транзисторы биполярные (BJTs) BC847B-TP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008598244
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- HTSUS
- 8541.21.0075
Цена по запросу
(от 1,93 ₽)
Минимальный заказ: 167 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT23
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3.04 mm |
| Серия | BC847B |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.12 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BC847 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Micro Commercial Components (MCC) |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@5mA@100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.5@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |