Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BC847AMTF

Транзисторы биполярные (BJTs) BC847AMTF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073582559
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 4,68 ₽)
Минимальный заказ: 7300 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный биполярный транзистор, 0,1 А I(C), 45 В CEO, 1-элементный, NPN, кремниевый

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1.9
Lead FinishMatte Tin
PCB changed3
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle
Package Width1.3 mm
Package Length2.92 mm
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Max Processing Temp260
Operating Temperature-65 to 150 °C
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain110@2mA@5V
Maximum Power Dissipation310 mW
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current0.1 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Power Dissipation (mW)310
Maximum Base-Emitter Voltage (V)6
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Maximum Collector-Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)300(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)15
Maximum Base Emitter Saturation Voltage0.7@0.5mA@10mAI0.9@5mA@100mA V
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage0.25@0.5mA@10mAI0.6@5mA@100mA V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.6@5mA@100mA|0.25@0.5mA@10mA

Техническая документация