Транзисторы биполярные (BJTs) BC847.215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050008297
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- SOT-23
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 728 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rated current | 100 mA |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 100 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Saturation voltage | 400 mV |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 50 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |
| Другие названия товара № | 933589570215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |