Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BC846BPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065916008
Бренд
NXP Semiconductor
Pin Count
6
Вес, г
0.04
Длина
2.2 mm
Package Type
SOT-363(SC-88)
Цена по запросу
(от 29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, NPN, 65 В, 100 МА, SOT363; Полярность транзистора: NPN, PNP; Напряжение коллектор-эмиттер, V(br) ceo:65 В; Рассеиваемая мощность, Pd:200 МВт; Ток коллектора постоянного тока:100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:200hFE; Тип корпуса транзистора: SOT-363

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г0.04
Длина2.2 mm
Package TypeSOT-363(SC-88)
Высота1 mm
КорпусSOT-23-6 | SOT236
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN,PNP
Transistor PolarityNPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation300mW
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationIsolated
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation300 mW
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSC-88-6
Maximum DC Collector Current100mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Collector Emitter Voltage65 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage65V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация