Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BC846A.215

Транзисторы биполярные (BJTs) BC846A.215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068358091
Бренд
NEX-NXP
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 3,60 ₽)
Минимальный заказ: 12800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г1.7
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Base Product NumberBC846 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation250mW
Minimum DC Current Gain110
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage80 V
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage65 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage65V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №933589550215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация