Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) BC817-25

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066713230
Бренд
Diotec Semiconductor
Version
NPN
Assembly
SMD
Military
No
Enclosure
SOT-23
Цена по запросу
(от 6 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NPN транзистор, SOT-23, 0.31Вт, 50В, 800мА, h21 160…400, -55…+150°С

Технические параметры

VersionNPN
AssemblySMD
MilitaryNo
EnclosureSOT-23
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
Min DC gain160 mA
Power - Max310 mW
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Supplier PackageSOT-23
Collector current800 mA
Power dissipation310 mW
Max DC amplification400 mA
ПолярностьNPN
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Standard Package NameSOT-23
Frequency - Transition100MHz
Minimum DC Current Gain160@100mA@1V
Supplier Device PackageSOT-23-3(TO-236)
Transit frequency fTmin100 MHz
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Number of Elements per Chip1
Коэфф. передачи160
Operating Temperature - (??C)100(Typ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)800 mA
кол-во в упаковке3000
Current - Collector Cutoff (Max)100nA(ICBO)
Maximum Power Dissipation - (mW)310
Maximum DC Collector Current - (A)0.8
Maximum Emitter Base Voltage - (V)5
Maximum Transition Frequency - (MHz)-55~150
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V)45
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45 V
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V

Техническая документация