Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) BC817,215

Транзисторы биполярные (BJTs) BC817,215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032307985
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 5,80 ₽)
Минимальный заказ: 82 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.25 Вт

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
VersionNPN
AssemblySMD
EnclosureSOT-23
Pin Count3
Вес, г0.05
Длина3 mm
СерияBC817
Min DC gain100 mA
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Rated current500 mA
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Collector current500 mA
Power dissipation0.345 W
Saturation voltage700 mV
Структураnpn
Base Product NumberBC817 ->
Max DC amplification600 mA
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation250mW
Minimum DC Current Gain100
Supplier Device PackageTO-236AB
Transit frequency fTmin100 MHz
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current500mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Maximum Collector Base Voltage50 V
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
max.voltage between collector and base Vcbo50 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V
Другие названия товара №933589520215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин100…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В45

Техническая документация