Транзисторы биполярные (BJTs) BC807W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004053669
- Бренд
- NXP Semiconductor
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.21.0095
Цена по запросу
(от 7,99 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теперь Nexperia BC807W - малосигнальный биполярный транзистор, 0,5 А I(C), 45 В CEO, 1-элементный, PNP, кремниевый
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.35 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.2 mm |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.2 mm |
| Power - Max | 200mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Part # Aliases | BC807W T/R |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Base Product Number | BC807 -> |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 100 at 100 mA at 1 V |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | BC807W T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 100 mA at 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |