Транзисторы биполярные (BJTs) BC807.215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050724699
- Бренд
- NXP Semiconductor
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 518 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.25Вт
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Version | PNP |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 250mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | -500 mA |
| Power dissipation | 0.345 W |
| Saturation voltage | -700 mV |
| Base Product Number | BC807 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transit frequency fTmin | 80 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | -500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -50 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -45 V |
| Другие названия товара № | 933589500215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 100 mA, 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |