Транзисторы биполярные (BJTs) BC549BTF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069575104
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.9
- Длина:
- 5.2 mm
- Серия:
- BC549
- Высота:
- 5.33 mm
Цена по запросу
(от 6,89 ₽)
Минимальный заказ: 4700 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Вес, г | 1.9 |
| Длина: | 5.2 mm |
| Серия: | BC549 |
| Высота: | 5.33 mm |
| Ширина: | 4.19 mm |
| Упаковка: | Cut Tape, Reel |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок: | TO-92-3 Kinked Lead |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 250 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |