Транзисторы биполярные (BJTs) BC32740BU
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068281997
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 4.7 mm
- Серия
- BC327
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 4300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TO-92 PNP GP AMP HFE/250-630
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | BC327 |
| Power - Max | 625 mW |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Maximum DC Collector Current | -800 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |