Транзисторы биполярные (BJTs) 2SD2118TLQ
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069799546
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- 2SD2118
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 210 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 5A
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | 2SD2118 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 5.5 mm |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |